變頻器主回路電容充電方式，一般是在整流和電容儲能回路之間串入充電限流電阻和充電接觸器(繼電器)，對電容充電過程的控制是這樣的:

變頻器上電后，先由充電電阻對電容進行限流充電，抑制了最大充電電流，隨著充電過程的延伸，電容上逐漸建立起充電電壓，其電壓幅值達到530V的80%左右時，出現兩種方式的控制過程，一為變頻器的開關電源電路起振，由開關電源的24V輸出直接驅動充電繼電器，或由此繼電器，接通充電接觸器的線圈供電回路，充電接觸器(繼電器)閉合，當充電限流電阻短接，變頻器進入待機工作狀態。電容器上建立一定電壓后，其充電電流幅度大為降低，充電接觸器的閉合/切換電流并不是太大，此后儲能電容回路與逆變電路的供電，由閉合的接觸器觸點供給，充電電阻被接觸器常開觸點所短接。二是隨著電容上充電電壓的建立，開關電源起振工作，CPU檢測到由直流回路電壓檢檢測電路送來電壓幅度信號，判斷儲能電容的充電過程已經完畢，輸出一個充電接觸器動作指令，充電接觸器得電閉合，電容上電充電過程結

個別品牌的變頻器及大功率變頻器，整流電路常采用三相半控橋的電路方式，即三相整流橋的下三臂為整流二極管，而上三臂采用三只單向可控硅，用可控硅這種“無觸點開關”，代替了充電接觸器。節省了安裝空間，提高了電路的可靠性。

雖然省掉了充電接觸器，但工作原理還是一樣的，只不過控制電路有所差異。變頻器上電期間，先由D10D6整流，R限流為C1、C2充電，在充電過程接近結束時，CPU輸出SCR1COSCR3三只可控硅的開通指令，控制電路強制三只可控硅導通，由D1、D2、D3、R構成的上電預充電回路使用作用，SCR1CSCR3與D4、D5、D6構成三相整流橋，此時可控硅處于全導通狀態下，等效于整流二極管。